吉利旗下晶能微电子推出车规级IGBT芯片，综合性能领先行业
3月16日消息，近日，吉利科技旗下的功率半导体公司浙江晶能微电子宣布，他们自主设计研发的首款车规级 IGBT产品成功流片。该款芯片采用了第七代微沟槽栅和场截止技术，优化表面结构和 FS 结构，实现了更低的导通/开关损耗，功率密度增大约 35%。
IGBT 是现代电力电子中的主导型器件，因其优越的性能而被誉为电力电子装置的“CPU”。该款 IGBT芯片的综合性能指标已达到行业领先水平，被视为未来功率芯片和模块创新应用的关键组件之一。
据晶能微电子介绍，一辆典型的新能源汽车所需的芯片数量超过 1200 颗，功率半导体占比接近1/4。因此，晶能微电子将继续致力于研制性能优越的芯片和模块产品，以满足动力总成系统中的开发需求。
据ITBEAR科技资讯了解，近期也有行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。未来，功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，其聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制与创新，发挥“芯片设计 + 模块制造 +车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
