纳米终结 半导体10年内进入埃米时代：靠ASML新EUV光刻机了
当前，量产的晶体管已经进入4nm尺度，3nm研发也已经冻结进入试产。
在11月于日本举办的线上ITF大会上，半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。
据悉，2025年后，晶体管微缩化进入埃米尺度(?，angstrom，1埃=0.1纳米)，时间节点的规划是，2025年A14(14?=1.4纳米)、2027年为A10(10?=1nm)、2029年为A7(7?=0.7纳米)。
微观晶体管结构层面，imec试图在14?节点使用Forksheet结构(p型和n型纳米片晶体管成对排列，类似于用餐的叉子)，10?节点试图采用CEFT结构，1纳米(10?)以下计划采用原子形状的沟道，依赖Mo(钼)、W(钨)、X为硫、Se硒、Te(碲)等2D材料和High NA(高数值孔径)EUV光刻机来实现。
说到High NA EUV光刻机(0.55NA)，一号原型机(EXE:5000)将在2023年由ASML提供给imec的联合实验室，2026年量产，从而服务1nm及更先进的节点。
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